Micron, 400'den fazla katmana sahip yeni nesil Micron G11 3D NAND teknolojisini duyurdu. İşte yeni depolama teknolojisinin sunduğu performans artışları.
Yeni teknoloji, giriş ve çıkış performansında yüzde 50’ye varan bir artış vadediyor. Ayrıca veri aktarımı sırasında daha düşük enerji tüketimi sunan bu belleklerin seri üretimine 2027 yılının ikinci yarısında başlanması planlanıyor.
Micron’un yeni nesil G11 3D NAND mimarisi, şirketin mevcut G9 teknolojisinin yerini alacak. Üretici, G10 neslini atlayarak doğrudan G11’e geçiş yaparken bellek hücrelerinin yoğunluğunu artırmaya odaklanıyor.
Yeni mimaride 400’den fazla bellek katmanı bulunacak ve üretim sürecinde wafer-on-wafer bonding adı verilen özel bir birleştirme teknolojisi kullanılacak. Bu yöntem sayesinde, bellek dizisi ile giriş, çıkış ve kontrol devrelerini barındıran katmanlar üretim aşamasının ardından birleştirilebiliyor.
G11’in en dikkat çekici yeniliklerinden biri, birim alana sığdırılabilen veri miktarının yaklaşık iki katına çıkmasıdır. Mevcut G9 nesli için yaklaşık 21 Gbit/mm² seviyesindeki yoğunluk esas alındığında, yeni mimarinin 42 Gbit/mm² düzeyine ulaşması mümkün görünüyor.
Veri aktarım performansında da benzer bir artış söz konusu olup, Micron bu yeni nesilde NAND giriş ve çıkış hızını önceki nesle kıyasla 1,5 katına çıkarıyor. G9 için 3.600 MT/s seviyesi esas alındığında, yeni neslin arayüz hızı teorik olarak 5.400 MT/s düzeyine ulaşabilecek.
Yorum Yap